מספר מוצר של יצרן:
SPP20N60CFDHKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPP20N60CFDHKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
12805975
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPP20N60CFDHKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20.7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
220mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
124 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
208W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SPP20N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000014475
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP23N80K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
105
DiGi מספר חלק
STP23N80K5-DG
מחיר ליחידה
2.52
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FCP190N65F
יצרן
onsemi
כמות זמינה
1600
DiGi מספר חלק
FCP190N65F-DG
מחיר ליחידה
1.98
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SPW20N60CFDFKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SPW20N60CFDFKSA1-DG
מחיר ליחידה
3.80
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
SPP20N65C3XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
462
DiGi מספר חלק
SPP20N65C3XKSA1-DG
מחיר ליחידה
2.78
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFB4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
IRL2505STRRPBF
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
IRL1404ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
