מספר מוצר של יצרן:
SPP11N60S5XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPP11N60S5XKSA1-DG
תיאור:
LOW POWER_LEGACY
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
12852942
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPP11N60S5XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 500µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
54 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1460 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SPP11N60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000681044
SPP11N60S5XKSA1-DG
448-SPP11N60S5XKSA1
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP17N80K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STP17N80K5-DG
מחיר ליחידה
2.15
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTP12N70X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTP12N70X2-DG
מחיר ליחידה
3.00
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXFP22N60P3
יצרן
IXYS
כמות זמינה
1
DiGi מספר חלק
IXFP22N60P3-DG
מחיר ליחידה
2.48
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPP60R360P7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IPP60R360P7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
0.66
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MCH3476-TL-W
MOSFET N-CH 20V 2A SC70FL/MCPH3
IRF1405ZTRR
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
2SK1058-E
MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
