בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
SPP02N60C3HKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPP02N60C3HKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
בקשת מחיר מקוונת
12806955
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPP02N60C3HKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.9V @ 80µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
200 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SPP02N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
SPP02N60C3
גיליונות נתונים
SPP02N60C3HKSA1
גיליון נתונים של HTML
SPP02N60C3HKSA1-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
SPP02N60C3X
SPP02N60C3
SP000013523
SPP02N60C3IN-DG
SPP02N60C3XK
SPP02N60C3IN-NDR
SPP02N60C3IN
SPP02N60C3XTIN
SPP02N60C3XTIN-DG
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF830APBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
5605
DiGi מספר חלק
IRF830APBF-DG
מחיר ליחידה
0.59
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTP2N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
67
DiGi מספר חלק
IXTP2N65X2-DG
מחיר ליחידה
1.11
סוג משאב
Direct
מספר חלק
IRFBC30APBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1483
DiGi מספר חלק
IRFBC30APBF-DG
מחיר ליחידה
1.19
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF9328PBF
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
IRLR7833TRRPBF
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
IRLU3802PBF
MOSFET N-CH 12V 84A I-PAK
SIPC30N60C3X1SA2
TRANSISTOR N-CH