מספר מוצר של יצרן:
SPP02N60C3HKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPP02N60C3HKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
12806955
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPP02N60C3HKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.9V @ 80µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
200 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SPP02N
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SPP02N60C3X
SPP02N60C3
SP000013523
SPP02N60C3IN-DG
SPP02N60C3XK
SPP02N60C3IN-NDR
SPP02N60C3IN
SPP02N60C3XTIN
SPP02N60C3XTIN-DG
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF830APBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
5605
DiGi מספר חלק
IRF830APBF-DG
מחיר ליחידה
0.59
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTP2N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
67
DiGi מספר חלק
IXTP2N65X2-DG
מחיר ליחידה
1.11
סוג משאב
Direct
מספר חלק
IRFBC30APBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1483
DiGi מספר חלק
IRFBC30APBF-DG
מחיר ליחידה
1.19
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF9328PBF
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
IRLR7833TRRPBF
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
IRLU3802PBF
MOSFET N-CH 12V 84A I-PAK