מספר מוצר של יצרן:
IRL3714ZLPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRL3714ZLPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 36A TO262
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 36A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-262
מלאי:
12807845
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRL3714ZLPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
36A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
16mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.55V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7.2 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
550 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
דף נתונים ומסמכים
משאבי עיצוב
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRL3714ZLPBF
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPI65R150CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO262-3
SPW55N80C3FKSA1
MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
SPD03N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
