מספר מוצר של יצרן:
SPW55N80C3FKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
SPW55N80C3FKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 54.9A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
מלאי:
450 יחידות חדשות מק originales במלאי
12807852
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SPW55N80C3FKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ C3
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
54.9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
85mOhm @ 32.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.9V @ 3.3mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
288 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7520 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
SPW55N80
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000849356
SPW55N80C3FKSA1-DG
448-SPW55N80C3FKSA1
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SPD03N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
SPB08P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
SPP100N03S203
MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3
