IRFSL59N10D
מספר מוצר של יצרן:

IRFSL59N10D

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRFSL59N10D-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 59A TO262
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 59A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262

מלאי:

12815463
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRFSL59N10D מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
59A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
25mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
114 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2450 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
*IRFSL59N10D
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IRF250P224

MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC

microchip-technology

DN3525N8-G

MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA

infineon-technologies

IPA075N15N3GXKSA1

MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3

texas-instruments

CSD18511KTTT

MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK