מספר מוצר של יצרן:
CSD18511KTTT
Product Overview
יצרן:
Texas Instruments
DiGi Electronics מספר חלק:
CSD18511KTTT-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 110A (Ta), 194A (Tc) 188W (Ta) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
מלאי:
641 יחידות חדשות מק originales במלאי
12815540
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
CSD18511KTTT מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Texas Instruments
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
NexFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
110A (Ta), 194A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
64 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5940 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
188W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (DDPAK-3)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
CSD18511
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
דף מוצר היצרן
מידע נוסף
שמות אחרים
296-47449-2
296-47449-1
296-47449-6
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
2 (1 Year)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
CSD16415Q5T
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
EPC2035
GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
SPD03N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3
