מספר מוצר של יצרן:
IRFP4668PBFXKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFP4668PBFXKMA1-DG
תיאור:
TRENCH >=100V PG-TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 130A (Tc) 520W Through Hole TO-247AC
מלאי:
396 יחידות חדשות מק originales במלאי
13001213
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFP4668PBFXKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
130A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.7mOhm @ 81A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
241 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10720 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
520W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AC
חבילה / מארז
TO-247-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP005732696
448-IRFP4668PBFXKMA1
חבילה סטנדרטית
25
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PJQ1906_R1_00001
MOSFET N-CH 30V 300MA DFN-3L
18N20
N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
IPP033N04NF2SAKMA1
TRENCH PG-TO220-3
