IPP033N04NF2SAKMA1
מספר מוצר של יצרן:

IPP033N04NF2SAKMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPP033N04NF2SAKMA1-DG

תיאור:

TRENCH PG-TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 25A (Ta), 113A (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-U05

מלאי:

812 יחידות חדשות מק originales במלאי
13001222
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPP033N04NF2SAKMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
StrongIRFET™2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Ta), 113A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.3mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.4V @ 53µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
68 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3200 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 107W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-U05
חבילה / מארז
TO-220-3

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
448-IPP033N04NF2SAKMA1
SP005550859
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
littelfuse

IXFN120N60X3

DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 SOT

goford-semiconductor

G11S

MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8

nexperia

BUK4D110-20PX

SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI

toshiba-semiconductor-and-storage

TW140N120C,S1F

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M