בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
BUK4D110-20PX
Product Overview
יצרן:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
BUK4D110-20PX-DG
תיאור:
SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 3.4A (Ta), 6.7A (Tc) 2W (Ta), 7.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
מלאי:
6000 יחידות חדשות מק originales במלאי
13001225
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BUK4D110-20PX מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Nexperia
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.4A (Ta), 6.7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 8V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
96mOhm @ 3.4A, 8V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
365 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta), 7.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DFN2020MD-6
חבילה / מארז
6-UDFN Exposed Pad
מספר מוצר בסיסי
BUK4D
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
BUK4D110-20P
מידע נוסף
שמות אחרים
1727-BUK4D110-20PXDKR
1727-BUK4D110-20PXCT
5202-BUK4D110-20PXTR
934661724115
1727-BUK4D110-20PXTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TW140N120C,S1F
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
IXFX130N65X3
DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 PLU
GT105N10T
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
IRFP4468PBFXKMA1
TRENCH >=100V PG-TO247-3