מספר מוצר של יצרן:
IRFI9Z24N
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFI9Z24N-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 55V 9.5A TO220AB FP
תיאור מפורט:
P-Channel 55 V 9.5A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
מלאי:
12804869
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFI9Z24N מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
175mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
350 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
29W (Tc)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB Full-Pak
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP10P6F6
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
555
DiGi מספר חלק
STP10P6F6-DG
מחיר ליחידה
0.62
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPW65R065C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
IRFH5007TR2PBF
MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
IPW65R190CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
