מספר מוצר של יצרן:
IPW65R190CFDAFKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPW65R190CFDAFKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
מלאי:
12804872
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPW65R190CFDAFKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
17.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 700µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
68 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1850 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
151W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPW65R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
INFINFIPW65R190CFDAFKSA1
2156-IPW65R190CFDAFKSA1
SP000928268
חבילה סטנדרטית
240
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXFH36N60P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFH36N60P-DG
מחיר ליחידה
6.71
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FCH170N60
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
11513
DiGi מספר חלק
FCH170N60-DG
מחיר ליחידה
2.97
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXFH30N60X
יצרן
IXYS
כמות זמינה
107
DiGi מספר חלק
IXFH30N60X-DG
מחיר ליחידה
6.12
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF640NLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
IPB80N04S303ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IRF6215LPBF
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
