מספר מוצר של יצרן:
IRFB4229PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFB4229PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
993 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804116
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFB4229PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
46A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
46mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
110 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4560 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
330W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRFB4229
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001565910
2156-IRFB4229PBF
IFEINFIRFB4229PBF
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP50R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
IPA60R450E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-FP
IPZ65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
