מספר מוצר של יצרן:
IPZ65R045C7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPZ65R045C7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247
מלאי:
12804120
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPZ65R045C7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ C7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
46A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
45mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1.25mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
93 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4340 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
227W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247
חבילה / מארז
TO-247-4
מספר מוצר בסיסי
IPZ65R045
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPZ65R045C7XKSA1
IPZ65R045C7XKSA1-DG
SP001024004
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPN70R450P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
IRFS4610TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
IPD25DP06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3