מספר מוצר של יצרן:
IRFB3306PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFB3306PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
5368 יחידות חדשות מק originales במלאי
13064037
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFB3306PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
אריזה
Tube
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
120 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4520 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
230W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRFB3306
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IRFB3306PBF
IRFB3306PBF-ND
SP001556002
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
IPP65R600C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
IPD06P004NATMA1
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252-3
