מספר מוצר של יצרן:
IPP65R600C6XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP65R600C6XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
13064039
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP65R600C6XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
אריזה
Tube
מצב חלק
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 210µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
440 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
63W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP65R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000661310
INFINFIPP65R600C6XKSA1
IPP65R600C6-ND
IPP65R600C6
2156-IPP65R600C6XKSA1-IT
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP11N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STP11N65M5-DG
מחיר ליחידה
0.79
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP11NM60ND
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STP11NM60ND-DG
מחיר ליחידה
1.81
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP15N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
988
DiGi מספר חלק
STP15N65M5-DG
מחיר ליחידה
1.09
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD06P004NATMA1
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252-3
BSZ035N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
IPDD60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
