IRF6638TRPBF
מספר מוצר של יצרן:

IRF6638TRPBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF6638TRPBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 25A (Ta), 140A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

מלאי:

12818539
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRF6638TRPBF מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Ta), 140A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.35V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3770 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DIRECTFET™ MX
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric MX

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SP001525506
IRF6638TRPBFTR
IRF6638TRPBFCT
IRF6638TRPBFDKR
חבילה סטנדרטית
4,800

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IRLS4030-7PPBF

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK

microchip-technology

DN2535N3-G

MOSFET N-CH 350V 120MA TO92

infineon-technologies

IRF1312PBF

MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB

infineon-technologies

IRF6614TR1

MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET