IRF6614TR1
מספר מוצר של יצרן:

IRF6614TR1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF6614TR1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 12.7A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST

מלאי:

12818571
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRF6614TR1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12.7A (Ta), 55A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.3mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.25V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
29 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2560 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DIRECTFET™ ST
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric ST

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
SP001525534
חבילה סטנדרטית
1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IRFR3504ZTRRPBF

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

infineon-technologies

IRFR3709ZPBF

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

infineon-technologies

IRFH5210TR2PBF

MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN

infineon-technologies

IRF540ZSTRL

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK