מספר מוצר של יצרן:
IRF5852TRPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF5852TRPBF-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
מלאי:
12804477
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF5852TRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.7A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.25V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
400pF @ 15V
הספק - מקס'
960mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
חבילת מכשירים לספקים
6-TSOP
מספר מוצר בסיסי
IRF58
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IRF5852TRPBF-DG
IRF5852TRPBFCT
SP001554076
IRF5852TRPBFDKR
IRF5852TRPBFTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
2 (1 Year)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDC6305N
יצרן
onsemi
כמות זמינה
19890
DiGi מספר חלק
FDC6305N-DG
מחיר ליחידה
0.17
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF8910TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
IRF7313TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
IRF7380TRPBF
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
