מספר מוצר של יצרן:
IRF8852TRPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF8852TRPBF-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 25V 7.8A 1W Surface Mount 8-TSSOP
מלאי:
12804533
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF8852TRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.8A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11.3mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.35V @ 25µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.5nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1151pF @ 20V
הספק - מקס'
1W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-TSSOP
מספר מוצר בסיסי
IRF8852
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001563834
IRF8852TRPBFDKR
IRF8852TRPBFCT
IRF8852TRPBFTR
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF6156
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 6FLIPFET
IPG20N10S4L22ATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
IRF7380QTRPBF
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC