מספר מוצר של יצרן:
IRF450
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF450-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 12A TO204AA
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-204AA (TO-3)
מלאי:
12803858
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF450 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
500mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
120 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2700 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-204AA (TO-3)
חבילה / מארז
TO-204AA, TO-3
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
Q2009037
*IRF450
חבילה סטנדרטית
100
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
IPP04CN10NGXKSA1
MV POWER MOS
IPAW60R190CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220