IPP04CN10NGXKSA1
מספר מוצר של יצרן:

IPP04CN10NGXKSA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPP04CN10NGXKSA1-DG

תיאור:

MV POWER MOS
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

מלאי:

12803860
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPP04CN10NGXKSA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™ 2
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
210 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13800 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP04CN10

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
448-IPP04CN10NGXKSA1
IPP04CN10NGXKSA1-DG
SP000680796
חבילה סטנדרטית
500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
IPP039N10N5XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IPP039N10N5XKSA1-DG
מחיר ליחידה
2.14
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPAW60R190CEXKSA1

MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220

infineon-technologies

IPD035N06L3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

infineon-technologies

IPA60R400CEXKSA1

MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220-FP

infineon-technologies

IRF3717

MOSFET N-CH 20V 20A 8SO