IRF1018ESTRLPBF
מספר מוצר של יצרן:

IRF1018ESTRLPBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF1018ESTRLPBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK

מלאי:

12356 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803999
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRF1018ESTRLPBF מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
79A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
69 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2290 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IRF1018

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
IRF1018ESTRLPBFCT
IRF1018ESTRLPBFDKR
SP001564496
IRF1018ESTRLPBFTR
חבילה סטנדרטית
800

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IRFSL38N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 43A TO262

infineon-technologies

IPI65R380C6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262-3

infineon-technologies

IRF9Z34NSTRR

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

infineon-technologies

IRF1405LPBF

MOSFET N-CH 55V 131A TO262