מספר מוצר של יצרן:
IRF1405LPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF1405LPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 131A TO262
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 131A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
מלאי:
12804005
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF1405LPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
131A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.3mOhm @ 101A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
260 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5480 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
200W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRF1405LPBF
SP001550918
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPC60R385CPX1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IRF7811WTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IRF6691TRPBF
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
