מספר מוצר של יצרן:
IRF1010NSTRLPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF1010NSTRLPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 85A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D2PAK
מלאי:
1660 יחידות חדשות מק originales במלאי
13064114
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF1010NSTRLPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
HEXFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
85A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
120 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3210 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
180W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IRF1010
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IRF1010NSTRLPBFDKR
IRF1010NSTRLPBFTR
SP001571236
IRF1010NSTRLPBF-ND
IRF1010NSTRLPBFCT
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF2805STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
IPP023N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
IRFS3107TRL7PP
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
