מספר מוצר של יצרן:
IPP023N10N5AKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP023N10N5AKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
13064116
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP023N10N5AKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™
אריזה
Tube
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 270µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
210 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
15600 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP023
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001120504
IPP023N10N5AKSA1-ND
448-IPP023N10N5AKSA1
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPP023N10N5XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
443
DiGi מספר חלק
IPP023N10N5XKSA1-DG
מחיר ליחידה
3.00
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFS3107TRL7PP
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
IPA80R1K4CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
IPP70N12S311AKSA1
MOSFET N-CHANNEL_100+
