מספר מוצר של יצרן:
IPZA60R024P7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPZA60R024P7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 101A (Tc) 291W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-3
מלאי:
224 יחידות חדשות מק originales במלאי
13276486
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPZA60R024P7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
101A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
24mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 2.03mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
164 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7144 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
291W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-4-3
חבילה / מארז
TO-247-4
מספר מוצר בסיסי
IPZA60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPZA60R024P7XKSA1
SP001866192
חבילה סטנדרטית
240
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA023N04NM3SXKSA1
TRENCH <= 40V
IPB60R040CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
IPB60R210CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
