מספר מוצר של יצרן:
IPB60R210CFD7ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB60R210CFD7ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 64W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
מלאי:
13276491
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB60R210CFD7ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ CFD7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
210mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1015 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
64W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3-2
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB60R210
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPB60R210CFD7ATMA1DKR
SP002621142
448-IPB60R210CFD7ATMA1TR
448-IPB60R210CFD7ATMA1CT
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPW60R024CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 77A TO247-3-41
BSC014N06LS5ATMA1
MOSFET 60V TDSON-8-7
IAUC120N04S6N010ATMA1
MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
