מספר מוצר של יצרן:
IPW65R045C7300XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPW65R045C7300XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
מלאי:
12851794
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPW65R045C7300XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™ C7
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
46A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
45mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1.25mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
93 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4340 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
227W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPW65R
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001657312
חבילה סטנדרטית
240
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STW70N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STW70N60M2-DG
מחיר ליחידה
6.43
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SIHG70N60AEF-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
447
DiGi מספר חלק
SIHG70N60AEF-GE3-DG
מחיר ליחידה
6.38
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPW65R045C7FKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1670
DiGi מספר חלק
IPW65R045C7FKSA1-DG
מחיר ליחידה
6.73
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPZ65R045C7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IPZ65R045C7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
7.24
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RHK003N06FRAT146
MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
BSP171PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
HUF75639S3S
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
