מספר מוצר של יצרן:
IPT65R190CFD7XTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPT65R190CFD7XTMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 8HSOF
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V Surface Mount TOLL
מלאי:
12974540
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPT65R190CFD7XTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ CFD7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
-
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
VGS (מקס')
-
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TOLL
חבילה / מארז
8-PowerSFN
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPT65R190CFD7XTMA1TR
SP005537513
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RF1S45N02L
45A, 20V, 0.022OHM, N-CHANNEL LO
G3035
P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
NVD360N65S3T4G
SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK
