מספר מוצר של יצרן:
G3035
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G3035-DG
תיאור:
P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 4.6A (Tc) 1.4W (Tc) Surface Mount SOT-23
מלאי:
3079 יחידות חדשות מק originales במלאי
12974544
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G3035 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
59mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
650 pF @ 15 V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
1.4W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3141-G3035DKR
3141-G3035TR
3141-G3035CT
4822-G3035TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.33.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NVD360N65S3T4G
SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK
NVB260N65S3
SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
DI006P02PW
MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0
