מספר מוצר של יצרן:
IPSA70R1K2P7SAKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPSA70R1K2P7SAKMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 700 V 4.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
מלאי:
4 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804528
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPSA70R1K2P7SAKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Last Time Buy
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 40µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4.8 nC @ 400 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
174 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IPSA70
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPSA70R1K2P7S
IPSA70R1K2P7SAKMA1-DG
448-IPSA70R1K2P7SAKMA1
SP001664784
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB80N06S407ATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPD90P04P405ATMA1
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
IRFU3709
MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
