מספר מוצר של יצרן:
IPW65R110CFDFKSA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPW65R110CFDFKSA2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
מלאי:
208 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804537
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPW65R110CFDFKSA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ CFD2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
31.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1.3mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
118 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3240 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
277.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3-41
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPW65R110
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPW65R110CFDFKSA2
SP001987370
IPW65R110CFDFKSA2-DG
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD78CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
IRF3415L
MOSFET N-CH 150V 43A TO262
IRFR9120NPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK