מספר מוצר של יצרן:
IPS80R750P7AKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPS80R750P7AKMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 51W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
מלאי:
12804925
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPS80R750P7AKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Last Time Buy
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
750mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 140µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
460 pF @ 500 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
51W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IPS80R750
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001644628
2156-IPS80R750P7AKMA1
IFEINFIPS80R750P7AKMA1
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPU80R750P7AKMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1500
DiGi מספר חלק
IPU80R750P7AKMA1-DG
מחיר ליחידה
0.52
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP60R120P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3
IPW90R340C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
IRF7233TR
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
