מספר מוצר של יצרן:
IPP60R120P7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP60R120P7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
12804927
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP60R120P7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
26A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
120mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 410µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
36 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1544 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
95W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP60R120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001647028
INFINFIPP60R120P7XKSA1
2156-IPP60R120P7XKSA1
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP36N60M6
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
96
DiGi מספר חלק
STP36N60M6-DG
מחיר ליחידה
3.05
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPZA60R120P7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
53
DiGi מספר חלק
IPZA60R120P7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
2.42
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPW90R340C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
IRF7233TR
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
IRLR3303TRR
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
