מספר מוצר של יצרן:
IPP80N06S2L07AKSA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP80N06S2L07AKSA2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 210W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
204 יחידות חדשות מק originales במלאי
12805995
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP80N06S2L07AKSA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
130 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3160 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
210W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP80N06
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
INFINFIPP80N06S2L07AKSA2
SP001067894
2156-IPP80N06S2L07AKSA2
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPP100N06S2L05AKSA2
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
498
DiGi מספר חלק
IPP100N06S2L05AKSA2-DG
מחיר ליחידה
1.72
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTP120N075T2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
44
DiGi מספר חלק
IXTP120N075T2-DG
מחיר ליחידה
1.69
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
TK4R3E06PL,S1X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
177
DiGi מספר חלק
TK4R3E06PL,S1X-DG
מחיר ליחידה
0.51
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF3711LPBF
MOSFET N-CH 20V 110A TO262
IRL520NS
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
IRFI1010NPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP
