מספר מוצר של יצרן:
IPP100N06S2L05AKSA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP100N06S2L05AKSA2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
מלאי:
498 יחידות חדשות מק originales במלאי
12801218
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP100N06S2L05AKSA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
230 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5660 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3-1
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP100
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
INFINFIPP100N06S2L05AKSA2
SP001067950
2156-IPP100N06S2L05AKSA2
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTP170N075T2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
50
DiGi מספר חלק
IXTP170N075T2-DG
מחיר ליחידה
1.73
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
CSD18532KCS
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
1360
DiGi מספר חלק
CSD18532KCS-DG
מחיר ליחידה
0.91
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB80N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPD65R1K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3
IPP06CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
