מספר מוצר של יצרן:
IPP65R310CFDAAKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP65R310CFDAAKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 11.4A (Tc) 104.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
12802779
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP65R310CFDAAKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
310mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 440µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
41 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1110 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
104.2W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP65R310
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000879438
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXFP12N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
290
DiGi מספר חלק
IXFP12N65X2-DG
מחיר ליחידה
1.73
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP13N80K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
312
DiGi מספר חלק
STP13N80K5-DG
מחיר ליחידה
1.60
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP13NM60ND
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
87
DiGi מספר חלק
STP13NM60ND-DG
מחיר ליחידה
1.64
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FCP11N60
יצרן
onsemi
כמות זמינה
739
DiGi מספר חלק
FCP11N60-DG
מחיר ליחידה
1.27
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPI051N15N5AKSA1
MV POWER MOS
IPW60R165CPFKSA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
IRFR3910TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
