מספר מוצר של יצרן:
IPI051N15N5AKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPI051N15N5AKSA1-DG
תיאור:
MV POWER MOS
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
מלאי:
12802782
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPI051N15N5AKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™ 5
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.1mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.6V @ 264µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
100 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7800 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3-1
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI051
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001326440
2156-IPI051N15N5AKSA1
INFINFIPI051N15N5AKSA1
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPW60R165CPFKSA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
IRFR3910TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
IAUT240N08S5N019ATMA1
MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
