מספר מוצר של יצרן:
IPP60R125P6XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP60R125P6XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
12804032
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP60R125P6XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
125mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 960µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
56 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2660 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
219W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP60R125
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPP60R125P6XKSA1-DG
448-IPP60R125P6XKSA1
SP001114648
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FCP125N60E
יצרן
onsemi
כמות זמינה
253
DiGi מספר חלק
FCP125N60E-DG
מחיר ליחידה
2.44
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FCP130N60
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
127
DiGi מספר חלק
FCP130N60-DG
מחיר ליחידה
2.72
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
AOTF42S60L
יצרן
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
כמות זמינה
1270
DiGi מספר חלק
AOTF42S60L-DG
מחיר ליחידה
2.89
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF6626TR1
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
IPW60R037P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
MIC94030YM4-TR
MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
