IRF6626TR1

מספר מוצר של יצרן:

IRF6626TR1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF6626TR1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 16A (Ta), 72A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12804035

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF6626TR1 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

-

סדרה

HEXFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

16A (Ta), 72A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

5.4mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.35V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

29 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2380 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

DIRECTFET™ ST

חבילה / מארז

DirectFET™ Isometric ST

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

IRF6626TR1TR

IRF6626TR1CT

SP001531662

חבילה סטנדרטית

1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS non-compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

3 (168 Hours)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IPW60R037P7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3

microchip-technology

MIC94030YM4-TR

MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143

infineon-technologies

IRFS7534PBF

MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

infineon-technologies

IRFR1018ETRRPBF

MOSFET N-CH 60V 56A DPAK