מספר מוצר של יצרן:
IPP60R125CFD7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP60R125CFD7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 18A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 92W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
323 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803827
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP60R125CFD7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
125mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 390µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
36 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1503 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
92W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP60R125
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
IPP60R125CFD7XKSA1-DG
448-IPP60R125CFD7XKSA1
SP001686028
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7476
MOSFET N-CH 12V 15A 8SO
IRF3515L
MOSFET N-CH 150V 41A TO262
IRF1104STRR
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
