IPP80R900P7XKSA1
מספר מוצר של יצרן:

IPP80R900P7XKSA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPP80R900P7XKSA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

מלאי:

12803831
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPP80R900P7XKSA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 110µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
350 pF @ 500 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
45W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP80R900

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SP001633486
INFINFIPP80R900P7XKSA1
2156-IPP80R900P7XKSA1
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IRFS7437-7PPBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

infineon-technologies

IPD088N06N3GBTMA1

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

infineon-technologies

IPI80N04S4L04AKSA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

infineon-technologies

IRFZ44NSTRRPBF

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK