מספר מוצר של יצרן:
IPP60R060C7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP60R060C7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 162W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
878 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804232
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP60R060C7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ C7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 800µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
68 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2850 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
162W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP60R060
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001385014
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP60R950C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
IRFZ24NLPBF
MOSFET N-CH 55V 17A TO262
IRF6613TRPBF
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET