מספר מוצר של יצרן:
IRF6613TRPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF6613TRPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
מלאי:
4078 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804238
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF6613TRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
23A (Ta), 150A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.25V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
63 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5950 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DIRECTFET™ MT
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric MT
מספר מוצר בסיסי
IRF6613
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001526876
IRF6613TRPBFCT
IRF6613TRPBFDKR
IRF6613TRPBFTR
חבילה סטנדרטית
4,800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFSL4410
MOSFET N-CH 100V 96A TO262
IRF3007STRLPBF
MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
IRF9383MTRPBF
MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
