מספר מוצר של יצרן:
IPP039N04LGHKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP039N04LGHKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
12803303
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP039N04LGHKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 45µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
78 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6100 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
94W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP039N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000391494
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPP039N04LGXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
459
DiGi מספר חלק
IPP039N04LGXKSA1-DG
מחיר ליחידה
0.50
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD50R950CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
IRF1503PBF
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
IPS80R900P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3