מספר מוצר של יצרן:
IPD50R950CEATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD50R950CEATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
12803305
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD50R950CEATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™ CE
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
231 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
53W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD50R
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD50R950CEATMA1-DG
SP001117712
IPD50R950CEATMA1CT
IPD50R950CEATMA1DKR
IPD50R950CEATMA1TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPD50R950CEAUMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4115
DiGi מספר חלק
IPD50R950CEAUMA1-DG
מחיר ליחידה
0.18
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
SPD04N50C3ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
7723
DiGi מספר חלק
SPD04N50C3ATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.57
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF1503PBF
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
IPS80R900P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
IPD80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3