מספר מוצר של יצרן:
IPD50R950CEAUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD50R950CEAUMA1-DG
תיאור:
CONSUMER
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
מלאי:
4115 יחידות חדשות מק originales במלאי
12805754
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD50R950CEAUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ CE
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
231 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
53W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3-344
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD50R950
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPD50R950CEAUMA1TR
448-IPD50R950CEAUMA1CT
SP001396802
448-IPD50R950CEAUMA1DKR
IPD50R950CEAUMA1-DG
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPL60R365P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON
IRL3705ZSPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
SPW11N60S5FKSA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
