מספר מוצר של יצרן:
IPN70R1K4P7SATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPN70R1K4P7SATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
תיאור מפורט:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 6.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
מלאי:
7808 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804747
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPN70R1K4P7SATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.4Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 40µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4.7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
158 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
6.2W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT223
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
מספר מוצר בסיסי
IPN70R1
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
IPN70R1K4P7SATMA1CT
IPN70R1K4P7SATMA1TR
IPN70R1K4P7SATMA1-DG
SP001657492
IPN70R1K4P7SATMA1DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFL024Z
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
IPD75N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3
IPD040N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
