מספר מוצר של יצרן:
IPT65R033G7XTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPT65R033G7XTMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 69A 8HSOF
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 69A (Tc) 391W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
מלאי:
12804756
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPT65R033G7XTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
CoolMOS™ C7
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
69A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
33mOhm @ 28.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1.44mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
110 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5000 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
391W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-HSOF-8-2
חבילה / מארז
8-PowerSFN
מספר מוצר בסיסי
IPT65R033
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPT65R033G7XTMA1CT
2156-IPT65R033G7XTMA1
IPT65R033G7XTMA1-DG
IPT65R033G7XTMA1DKR
SP001456202
INFINFIPT65R033G7XTMA1
IPT65R033G7XTMA1TR
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPT65R040CFD7XTMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IPT65R040CFD7XTMA1-DG
מחיר ליחידה
4.55
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7807VD1TR
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IPSA70R450P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 10A TO251-3
IRF530NL
MOSFET N-CH 100V 17A TO262